[发明专利]半导体装置

摘要

为了在具有双栅极构造的MIS型晶体管中，防止双栅极中的硅化部分的断线引起的延迟劣化，从而防止工作不良，本发明的半导体装置，具有有上部被硅化的栅极(22)的P型MOS晶体管(100)及N型MOS晶体管(200)，栅极(22)中的P型MOS晶体管(100)部分包含掺入P型杂质的多晶硅，其N型MOS晶体管(200)部分包含掺入N型杂质的多晶硅。P型MOS晶体管(100)及N型MOS晶体管(200)的相互的漏极通过包含被硅化的多晶硅的共有布线(23)连接。共有布线(23)的线宽设定为比栅极(22)的线宽要宽。

主权项

1、一种半导体装置，其特征在于，具有：P型MIS晶体管，其具有包含掺入P型杂质的硅的第1栅极；N型MIS晶体管，其具有包含掺入N型杂质的硅的第2栅极；和共有布线，其相互连接所述P型MIS晶体管和所述N型MIS晶体管，构成电源电流或接地电流的通路，并且含有被硅化的硅，所述第1栅极和所述第2栅极，通过上部分别被硅化而相互电连接，所述共有布线的线宽设定为大于所述第1栅极及所述第2栅极的线宽。