[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200510079030.7 | 申请日： | 2005-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN1770474A | 公开（公告）日： | 2006-05-10 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;磯部敦生;山口哲司;鄉戶宏充 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 沈昭坤 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于不用复杂的工艺、装置就能制造具有所要求特性的薄膜晶体管。其目的还在于，通过对薄膜晶体管的特性进行精密、自由的控制，提供一种能以低成本高合格率来制造可靠性高电特性好的半导体器件的技术。本发明在薄膜晶体管上，在被栅极电极层覆盖的半导体层的源极区域一侧或漏极区域一侧中的一侧制作低浓度的掺杂区域。低浓度掺杂区域是通过将栅极电极层作为掩模，对着半导体层表面斜着进行掺杂而形成的。因而，能精细地控制薄膜晶体管的特性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，在半导体层上有栅极绝缘层，所述半导体层有沟道形成区域、源极区域、漏极区域、以及在所述沟道形成区域与所述源极区域之间的掺杂区域，所述沟道形成区域与所述漏极区域连接设置，在所述沟道形成区域和所述掺杂区域上经所述栅极绝缘层有栅极电极层，在所述源极区域和所述漏极区域的表面有硅化物。
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