[发明专利]用于通过激光束使半导体结晶化的方法无效
| 申请号： | 200510079085.8 | 申请日： | 2003-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN1702831A | 公开（公告）日： | 2005-11-30 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木伸夫;宇塚达也;大木孝一 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社;株式会社日本激光 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/268;G02F1/133 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 付建军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 由多个激光源所发射的激光束被分为多个子光束，其被照射到一个基片上的无定形半导体的所选择部分上，以使得该无定形半导体结晶化。本发明的一种用于使半导体结晶化的方法，包括如下步骤：将激光束照射到具有显示区域和围绕该显示区域的外围区域的一个基片上的半导体上，以使该半导体熔化和结晶化；在第一扫描方向上执行外围区域的结晶化；在把支承该基片的可旋转台旋转90度之后，在与第一扫描方向相垂直的第二扫描方向上执行外围区域的结晶化；以及沿着与像素的三原色子像素区域的排列方向相平行的第三扫描方向上执行显示区域的结晶化。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 通过 激光束 半导体 结晶 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于使半导体结晶化的方法，包括如下步骤：将激光束照射到具有显示区域和围绕该显示区域的外围区域的一个基片上的半导体上，以使该半导体熔化和结晶化；在第一扫描方向上执行外围区域的结晶化；在把支承该基片的可旋转台旋转90度之后，在与第一扫描方向相垂直的第二扫描方向上执行外围区域的结晶化；以及沿着与像素的三原色子像素区域的排列方向相平行的第三扫描方向上执行显示区域的结晶化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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