[发明专利]压敏非线性电阻器陶瓷，制造方法和压敏非线性电阻器

摘要

一种复合钙钛矿基半导体压敏电阻陶瓷和压敏电阻器包含由Sr、Ba、Ca及Ti组成的第一成分；第二成分和第三成分至少之一，第二成分由至少一类从R(Y和镧系元素)的氧化物选择的氧化物组成，第三成分由至少一类从M(Nb和Ta)的氧化物选择的氧化物组成；以及由Si的氧化物组成的第四成分。该陶瓷基本不含Mg。该陶瓷的组成为0.10≤a/(a+b+c)≤0.40，0.30≤b/(a+b+c)≤0.50，0.20≤c/(a+b+c)≤0.50，0.84≤(a+b+c+e)/(d+f)≤1.16，1.0≤(e+f)/d×100≤10.0，以及g/d×100≤0.6。一种复合钙钛矿基半导体压敏电阻陶瓷和压敏电阻器可以由Sr、Ba、Ca及Ti的至少一种组成，并具有形成压缩应力的表面。

主权项

1.一种压敏非线性电阻陶瓷，包含由Sr，Ba和Ca中至少一种和Ti组成的氧化物，所述陶瓷包含形成有压缩应力的表面。