[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200510079257.1 | 申请日： | 2005-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN1725511A | 公开（公告）日： | 2006-01-25 |
| 发明（设计）人： | 姜泰旭;郑仓龙;金昌树;徐昌秀;朴汶熙 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L21/30;H01L21/306;H01L21/3065;H01L21/768;H01L21/8234;H01L23/52 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开一种半导体器件及制造方法，当形成半导体层及源和漏电极的接触孔、正电极以源和漏电极的通孔、金属互连线间的通孔或通孔接触孔时，使用高腐蚀速率和高选择性干法腐蚀的至少一种进行干法腐蚀且在最终腐蚀处理中进行湿法腐蚀，可形成具不同圆锥角的多种轮廓的接触孔、通孔或通孔接触孔，且湿法干法处理时可完全去除腐蚀产生的残渣，由此可使接触孔、通孔和通孔接触孔具有优良接触特性。半导体器件包括：衬底；在衬底上形成并具有半导体层、栅绝缘层、栅电极和层间电介质的薄膜晶体管；及穿透栅绝缘层和层间电介质并暴露半导体层表面且具有多种轮廓的接触孔，接触孔上部分具有湿法腐蚀轮廓且下部分具有湿法和干法腐蚀轮廓的至少一种。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件，包括：衬底；在该衬底上形成并具有半导体层、栅绝缘层、栅电极和层间电介质的薄膜晶体管；以及穿透该栅绝缘层和该层间电介质并暴露该半导体层的表面且具有多种轮廓的接触孔，其中该接触孔的上部分具有湿法腐蚀轮廓且下部分具有湿法腐蚀轮廓和干法腐蚀轮廓中的至少一种腐蚀轮廓。
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