[发明专利]蚀刻设备与蚀刻工艺有效
| 申请号： | 200510079393.0 | 申请日： | 2005-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN1892994A | 公开（公告）日： | 2007-01-10 |
| 发明（设计）人： | 戴伟仁;吴泉毅;曾美贵;徐名潭 | 申请（专利权）人： | 中华映管股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213;C23F1/18;C23F1/30;C23F1/34;C23F1/40 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘亚文 |
| 地址： | 台湾省台北*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提出一种蚀刻设备，适于对铜或银进行蚀刻，其包括过氧化氢槽、氢氧化铵槽、水槽、蚀刻槽、配管系统以及温控装置。配管系统将过氧化氢槽、氢氧化铵槽、水槽连通于蚀刻槽。温控装置设置于过氧化氢槽、氢氧化铵槽以及蚀刻槽的周围，使其温度维持在室温以下且摄氏12度以上。本发明能够避免配管系统内部发生气栓现象，并且可以降低过氧化氢与氢氧化铵的挥发速率，使蚀刻液对铜或银薄层的蚀刻速率维持稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 设备 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种蚀刻设备，适于对铜或银进行蚀刻，其特征是该蚀刻设备包括：过氧化氢槽；氢氧化铵槽；水槽；蚀刻槽；配管系统，用以使该过氧化氢槽、该氢氧化铵槽与该水槽连通至该蚀刻槽；以及温控装置，设置于该过氧化氢槽、该氢氧化铵槽与该蚀刻槽的周围，以使其温度维持在室温以下且摄氏12度以上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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