[发明专利]半导体激光元件及其制备方法无效
| 申请号： | 200510079415.3 | 申请日： | 2005-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN1713471A | 公开（公告）日： | 2005-12-28 |
| 发明（设计）人： | 桥本隆宏 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/22 | 分类号： | H01S5/22 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种在p型覆层上沉积绝缘膜的半导体激光元件，其中可以通过抑制在半导体激光元件中的p型覆层上导致的热应力来防止半导体激光元件的体劣化。化合物半导体多层结构(2)通过依次在沉积方向上沉积n型覆层(8)、有源层(9)和具有形成于其上的脊部分(19)的p型覆层(10)来形成。然后，在化合物半导体多层结构(2)的沉积方向上沉积绝缘膜(3)，该绝缘膜由折射率与构成所述第二覆层(10)的材料不同、热膨胀系数与构成所述第二覆层(10)的材料接近的绝缘材料形成。本发明还涉及制造该半导体激光元件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 激光 元件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光元件，包括：化合物半导体多层结构，至少由第一导电类型的第一覆层(8)、有源层(9)以及第二导电类型的第二覆层(10)组成，这些层在一个方向上依次沉积，所述第二覆层包括呈条状(8，9，10)的脊部分(19)；以及绝缘膜(3)，由折射率与构成所述第二覆层的材料不同、热膨胀系数与构成所述第二覆层(10)的材料接近的绝缘材料形成，其中，所述绝缘膜(3)沉积于所述第二覆层(10)上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于夏普株式会社，未经夏普株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510079415.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体激光元件
- 下一篇：具有柔韧颈杆的电动牙刷
