[发明专利]使用共混溶液形成半导体层和绝缘层而制备底栅薄膜晶体管的改进方法有效
| 申请号： | 200510079479.3 | 申请日： | 2005-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN1722388A | 公开（公告）日： | 2006-01-18 |
| 发明（设计）人： | A·C·阿里亚斯 | 申请（专利权）人： | 帕洛阿尔托研究中心公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L51/00;G09F9/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 郭广迅;庞立志 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 描述了形成由绝缘聚合物层保护的半导体聚合物层的改进方法。在该方法中，用于形成半导体聚合物和绝缘聚合物的材料溶解在溶剂中。该共混溶液沉积在基片上，其中半导体聚合物和绝缘聚合物分离。随着溶剂的挥发，半导体材料形成TFT的有源区，绝缘聚合物使该半导体聚合物在空气中的暴露降到最低。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 溶液 形成 半导体 绝缘 制备 薄膜晶体管 改进 方法 | ||
【主权项】：
1.形成底栅薄膜晶体管TFT的方法，包括以下操作：在第一基片区上形成源区；在第二基片区上形成漏区；在源区和漏区之间沉积共混溶液，该共混溶液包括设计用来形成半导体聚合物的材料和设计用来形成绝缘体的材料，使得在沉积后，在底栅薄膜晶体管的源区和漏区之间形成聚合物半导体层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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