[发明专利]半导体晶片和半导体器件的制造工艺有效

专利信息
申请号: 200510079519.4 申请日: 2005-06-22
公开(公告)号: CN1713354A 公开(公告)日: 2005-12-28
发明(设计)人: 木田刚;野田贵三 申请(专利权)人: 恩益禧电子股份有限公司
主分类号: H01L21/301 分类号: H01L21/301
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 穆德骏;陆锦华
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 根据本发明的半导体晶片(1),包括:在两个相互垂直的方向上的第一划片线(31),其具有第一宽度并将半导体晶片(1)分成多个区域;第二划片线(32),其具有比第一宽度小的第二宽度并将区域分成多个半导体芯片区(2);沿着半导体芯片区(2)的边缘形成的电极焊盘(5);以及设置在划片线中的含金属的辅助图案(4)。在第二划片线(32)中,在与芯片区(2)中具有电极焊盘5的边缘相邻的区域中的至少最外表面中不存在辅助图案(4)。
搜索关键词: 半导体 晶片 半导体器件 制造 工艺
【主权项】:
1.一种半导体晶片,包括:多个第一划片线,其在两个相互垂直的方向上延伸,所述第一划片线具有第一宽度并将半导体晶片分成多个区域;多个第二划片线,其具有比第一宽度小的第二宽度,所述第二划片线将区域分成多个半导体芯片区;沿着芯片区的边缘形成的电极焊盘;以及设置在划片线中的含金属的辅助图案,其中在第二划片线中,在与半导体芯片区中具有电极焊盘的边缘相邻的区域中的至少最外表面中不存在含金属的辅助图案。
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