[发明专利]形成半导体器件精细图形的方法及用其形成接触的方法有效
| 申请号： | 200510079521.1 | 申请日： | 2005-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN1750234A | 公开（公告）日： | 2006-03-22 |
| 发明（设计）人： | 裵根熙;池京求;姜昌珍;李哲圭 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 林宇清;谢丽娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供一种使用硅化锗牺牲层形成半导体器件的精细图形的方法以及使用该方法形成自对准接触的方法。形成半导体器件的自对准接触的方法包括在衬底上形成具有导电材料层、硬掩模层以及侧壁隔片的导电线结构，以及在衬底的整个表面上形成硅化锗(Si1－xGex)牺牲层，具有等于或高于至少导电线结构的高度的高度。然后，在牺牲层上形成用于限定接触孔的光刻胶图形，以及干法刻蚀牺牲层，由此形成用于露出衬底的接触孔。使用多晶硅形成用于填充接触孔的大量接触，以及剩余的牺牲层被湿法刻蚀。然后，用氧化硅填充除去了牺牲层的区域，由此形成第一层间绝缘层。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 半导体器件 精细 图形 方法 接触 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体器件的精细图形的方法，包括：在衬底上形成作为牺牲层的硅化锗(Si1-xGex)；在所述牺牲层上形成具有预定图形的光刻胶图形；使用所述光刻胶图形作为刻蚀掩模干法刻蚀所述牺牲层，由此形成用于露出所述衬底的牺牲层图形；形成用于填充被所述牺牲层图形限定的区域的第一材料层图形，其中所述第一材料层图形包括相对于所述硅化锗具有更大刻蚀选择率的第一材料；通过湿法刻蚀除去所述牺牲层图形；以及用第二材料填充设置了除去的牺牲层图形的区域，由此形成第二材料层图形，其中x是约0.1至约0.8。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
