[发明专利]制造半导体器件的方法无效
| 申请号： | 200510079541.9 | 申请日： | 2005-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN1835208A | 公开（公告）日： | 2006-09-20 |
| 发明（设计）人： | 金相喆 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L21/8239 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明揭示一种制造半导体器件的方法，其包括以下步骤：在半导体衬底上形成掺杂多晶硅层；在该掺杂多晶硅层及该半导体衬底上的预定区域上形成用于器件隔离的氧化物膜；在用于器件隔离的该氧化物膜及该掺杂多晶硅层上形成蚀刻停止层；蚀刻该蚀刻停止层、该掺杂多晶硅层及该半导体衬底的预定区域，以形成界定栅极区域的沟槽；在该栅极区域上沉积栅极氧化物膜；形成栅极电极层及填充该沟槽的硬掩模层；及抛光该栅极电极层及该硬掩模层，以曝光该蚀刻停止层，且在该栅极区域中形成栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，包括：在半导体衬底上形成掺杂多晶硅层；在所述掺杂多晶硅层及半导体衬底的预定区域中形成用于器件隔离的氧化物膜；在该用于器件隔离的氧化物膜及该掺杂多晶硅层上形成蚀刻停止层；蚀刻所述蚀刻停止层、所述掺杂多晶硅层及所述半导体衬底的预定区域，以形成界定栅极区域的沟槽；在所述栅极区域上沉积栅极氧化物膜；形成栅极电极层及填充所述沟槽的硬掩模层；及抛光所述栅极电极层及硬掩模层，以暴露该蚀刻停止层，且在所述栅极区域中形成栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
