[发明专利]片内EE-PROM编程波形发生无效
申请号: | 200510079572.4 | 申请日: | 2005-06-17 |
公开(公告)号: | CN1725380A | 公开(公告)日: | 2006-01-25 |
发明(设计)人: | B·J·罗杰斯三世;E·A·拉贝 | 申请(专利权)人: | 英特赛尔美国股份有限公司 |
主分类号: | G11C16/10 | 分类号: | G11C16/10;H03K3/57 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 张政权 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 电路、方法和装置提供控制上升和下降时间以及精确峰值电压的波形。一个实施例提供了用于生成针对片内电容变化而加以调整的时钟信号和电流的电路。随后,该电流被用于生成波形的上升和下降沿。时钟信号被用于确定波形中的转变定时。带隙或类似参考电压被用于确定峰值电压。随后,用放大器电路增益该波形,且放大器电路的输出被用作为EE-PROM的编程电压波形。一个实施例进一步使用不相重叠的时钟来驱动电荷泵,它被用于生成用于放大器电路的远超出可用片内电源电压的电源电压。 | ||
搜索关键词: | ee prom 编程 波形 发生 | ||
【主权项】:
1.一种编程电可擦可编程只读存储器的方法,其特征在于,该方法包括:通过以下步骤生成第一波形:调整第一电流,以补偿电容值的加工变化;生成与第一电流成比例的第二电流;生成与第一电流成比例的第三电流;利用第二电流在第一持续时间内对电容器从第一电压充电到第二电压;在第二持续时间内将电容器保持于第二电压;以及利用第三电流在第三持续时间内对电容器从第二电压放电到第一电压。
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