[发明专利]电光装置和电子设备以及电光装置的制造方法无效

专利信息
申请号: 200510079633.7 申请日: 2005-06-23
公开(公告)号: CN1713059A 公开(公告)日: 2005-12-28
发明(设计)人: 中川雅嗣 申请(专利权)人: 精工爱普生株式会社
主分类号: G02F1/136 分类号: G02F1/136;H01L29/786;G09F9/00
代理公司: 北京市中咨律师事务所 代理人: 李峥;于静
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 在电光装置中,在不产生其他不良状况的情况下抑制光漏电流的产生、使高品质的显示成为可能。在基板上,具备其构成为包括具有沟道区的半导体层的薄膜晶体管、通过薄膜晶体管进行驱动的显示用电极、叠层到半导体层的上层侧和下层侧中的至少一方上的层间绝缘膜、叠层到该层间绝缘膜的与半导体层侧相反的一侧的用来对沟道区进行遮光的遮光膜。在层间绝缘膜的与半导体层相反的一侧的表面,在沟道区中至少能够对沟道区的边缘部分遮光的区域,形成有朝向半导体层局部地凹陷的凹部。遮光膜至少在凹部内形成。
搜索关键词: 电光 装置 电子设备 以及 制造 方法
【主权项】:
1.一种电光装置,其特征在于,具备:基板;设置在该基板上的、其构成为包含具有沟道区的半导体层的薄膜晶体管;设置在上述基板上并且电连到上述薄膜晶体管的显示用电极;电连到上述显示用电极的存储电容;叠层到上述半导体层的上层侧和下层侧中的至少一方上的层间绝缘膜;以及叠层到该层间绝缘膜的与上述半导体层相反的一侧的、用来对上述沟道区进行遮光的遮光膜;其中,在上述层间绝缘膜的与上述半导体层相反的一侧的表面,在上述沟道区中至少能够对上述沟道区的边缘部分遮光的区域中,形成有朝向上述半导体层局部地凹陷的凹部,上述遮光膜至少在上述凹部内形成,并兼用做上述存储电容的至少一方的电容电极。
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