[发明专利]液晶显示器件的薄膜晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 200510079643.0 | 申请日： | 2005-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN1713060A | 公开（公告）日： | 2005-12-28 |
| 发明（设计）人： | 金炳勳 | 申请（专利权）人： | LG.菲利浦LCD株式会社 |
| 主分类号： | G02F1/136 | 分类号： | G02F1/136;G02F1/133;H01L29/786;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李辉 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 液晶显示器件的薄膜晶体管及其制造方法。一种设置在有源矩阵型液晶显示器的各个像素中的用作开关装置的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：与栅极、第一半导体层交叠并且与第二杂质半导体层的两个部分中的一个相接触的源极；以及与栅极、第一半导体层交叠并且与第二半导体层的两个部分中的另一个相接触的漏极，其中，源极和漏极限定了第一半导体层中的沟道区，所述沟道区具有第一半导体层的第一部分与第二部分之间的长度，并且具有与第二半导体层的两个部分中的至少一个的宽度相同的宽度，以使得所述沟道区的宽度对长度的比率在8到10的范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 液晶显示 器件 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种设置在有源矩阵型液晶显示器的各个像素中的用作开关装置的薄膜晶体管，包括：栅极；栅极上的栅绝缘层；栅绝缘层上的第一半导体层；被分为第一半导体层的第一部分和第二部分上的彼此相对的两个部分的第二半导体层；与栅极、第一半导体层交叠并且与第二半导体层的两个部分中的一个相接触的源极；以及与栅极、第一半导体层交叠并且与第二半导体层的两个部分中的另一个相接触的漏极，其中，源极和漏极限定第一半导体层中的沟道区，所述沟道区具有第一半导体层的第一部分与第二部分之间的长度，并且具有与第二半导体层的两个部分中的至少一个的宽度相同的宽度，以使得所述沟道区的宽度对长度的比率在8到10的范围内。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于LG.菲利浦LCD株式会社，未经LG.菲利浦LCD株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510079643.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：具有无铁心电枢装置的直线无刷直流电动机
- 下一篇：成像设备
