[发明专利]半导体发光元件和器件、及制造半导体发光元件的方法有效
| 申请号： | 200510079663.8 | 申请日： | 2005-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN1716655A | 公开（公告）日： | 2006-01-04 |
| 发明（设计）人： | 折田贤儿 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在半导体多层膜的与其主表面相对的表面中形成突起/凹陷，该突起/凹陷形成二维周期性结构，而在另一表面上形成具有高反射率的金属电极。通过使用二维周期性结构的衍射效应，能改进从形成有突起/凹陷的表面的光引出效率。通过利用具有高反射率的金属电极把向金属电极发射的光反射到形成有突起/凹陷的表面，能倍增由二维周期性结构实现的以上效果。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光元件，包括：活性层，由半导体制成并且产生光；第一传导型的第一半导体层，通过晶体生长形成在该活性层的主表面上；以及第二传导型的第二半导体层，提供在该活性层的后表面上，并且具有形成有二维周期性结构的后表面，该半导体发光元件从该第二半导体层的后表面输出在该活性层中产生的光。
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