[发明专利]半导体元件及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体元件及其制造方法，其是适用于金属栅极制程的单晶体管存储器技术，其是在制作金属栅极和嵌入在绝缘结构的MIM电容器的上电极采用同一种金属材料。一栅极介电层是和嵌入在绝缘结构的MIM电容器的电容器介电层采用相同的高介电材料。本发明所述半导体元件及其制造方法，可节省成本，且具有可图形化、低阻值、良好热可靠度、良好电流动及较少电压消耗的优点。

主权项

1、一种半导体元件，其特征在于所述半导体元件包括：一基板，具有一第一区域和一第二区域；至少一绝缘结构，形成在该基板的第一区域中；一电容器，嵌入在该绝缘结构中，其中该电容器包括一下电极层、一电容器介电层形成在该下电极层上，及一上电极层形成在该电容器介电层上；及至少一第一晶体管，形成在该基板的第二区域，其中该第一晶体管包括一第一栅极介电层和一第一栅极层形成在该第一栅极介电层上；其中该上电极层和该第一栅极层是由相同的金属材料形成。