[发明专利]采用小分子有机半导体材料的液晶显示器件及其制造方法有效
申请号: | 200510079768.3 | 申请日: | 2005-06-28 |
公开(公告)号: | CN1752825A | 公开(公告)日: | 2006-03-29 |
发明(设计)人: | 徐铉植;白承汉;崔洛奉 | 申请(专利权)人: | LG.菲利浦LCD株式会社 |
主分类号: | G02F1/136 | 分类号: | G02F1/136;G02F1/133;H01L29/786;H01L21/027 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐金国;祁建国 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明提供一种液晶显示器结构。所述液晶显示器结构包括象素区和基板上的薄膜晶体管。薄膜晶体管毗邻象素区并且包括栅极;具有一顶面的栅绝缘层;栅绝缘层顶面上的源极和漏极;设置在栅绝缘层顶面上的半导体层,源极和漏极之间的半导体层限定一沟道区,半导体层包括小分子有机半导体材料;以及覆盖沟道区的第一钝化层,第一钝化层的顶面与源极和漏极各自的顶面吻合或是处在源极和漏极各自的顶面下方。 | ||
搜索关键词: | 采用 分子 有机 半导体材料 液晶显示 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种液晶显示器结构,包括:象素区;和在基板上的薄膜晶体管,所述薄膜晶体管的位置毗邻所述象素区,所述薄膜晶体管包括:栅极;具有一顶面的栅绝缘层;在所述栅绝缘层顶面上的源极和漏极;设置在所述栅绝缘层顶面上的半导体层,其位于所述源极和漏极之间以限定一沟道区,所述半导体层包括小分子有机半导体材料;以及覆盖所述沟道区的第一钝化层,所述第一钝化层的顶面与所述源极和漏极各自的顶面吻合或是处在所述源极和漏极各自的顶面下方。
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