[发明专利]半导体集成电路和其设计方法有效
申请号: | 200510079922.7 | 申请日: | 2005-06-27 |
公开(公告)号: | CN1770448A | 公开(公告)日: | 2006-05-10 |
发明(设计)人: | 松原裕之 | 申请(专利权)人: | 富士通株式会社 |
主分类号: | H01L27/00 | 分类号: | H01L27/00;H01L21/82 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 赵淑萍 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明公开了一种母片型半导体集成电路,该半导体集成电路具有基体层和多个线路层,其中,在基体层上形成有实现特定电路功能的多个基体图案,多个线路层包括其线路图案可由用户改变的可变线路图案和其线路图案不可由用户改变的固定线路层,在这样的母片型半导体集成电路中,多个基体图案预先固定并放置在整个芯片表面上能够在基体层中形成基体图案的区域处,从而,可以通过只设计可变线路层的线路,并在用户侧产生用于形成线路层中所设计线路的掩模,来制造对应于使用目的的半导体集成电路。 | ||
搜索关键词: | 半导体 集成电路 设计 方法 | ||
【主权项】:
1.一种为母片型半导体集成电路的半导体集成电路,包括:基体层,在所述基体层上形成有实现特定电路功能的多个基体图案;和多个路线层,以多个层的形式顺序形成在所述基体层上,并且包括其线路图案可由用户改变的可变线路层和其线路图案不可由用户改变的固定线路层,其中,被固定且选定的所述多个基体图案预先放置在整个芯片表面上,其中,所述基体图案能够形成在所述基体层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的