[发明专利]电子束曝光装置无效

专利信息
申请号: 200510080007.X 申请日: 2005-06-24
公开(公告)号: CN1747019A 公开(公告)日: 2006-03-15
发明(设计)人: 藤田盐地;近禅;杉山寿纪;井户宽 申请(专利权)人: 日立麦克赛尔株式会社
主分类号: G11B7/26 分类号: G11B7/26;H01J37/305
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 代理人: 郝庆芬
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 提供抑制了电子束的变动的电子束曝光装置以及电子束曝光方法。本发明的电子束曝光装置(100),通过在旋转形成保护层(resist)的圆形衬底(16)的状态下照射电子束(3)来进行曝光。该电子束曝光装置(100),具有:聚焦由电子枪(2)发射的电子束3的聚光透镜(4)、限制通过了聚光透镜(4)的电子束的电流控制窗孔(5)和使被电流控制窗孔(5)所限制过的电子束大致平行的照射透镜(6)。并且,通过根据圆形衬底(16)上的照射位置改变聚光透镜(4)的聚光度,来控制电子束的电流。
搜索关键词: 电子束 曝光 装置
【主权项】:
1.一种电子束(beam)曝光装置,其通过在旋转形成保护层(resist)的圆形衬底的状态下照射电子束(beam)来进行曝光,其特征在于:包括:发射所述电子束(beam)的电子枪;聚焦由所述电子枪发射的电子束(beam)的第一电子透镜(lens);限制通过了所述第一电子透镜(lens)的电子束(beam)的电流控制窗孔;使被所述电流控制窗孔(aperture)限制的电子束大致平行的第二电子透镜(lens);使通过所述第二电子透镜的电子束在所述圆形衬底成像的成像单元;和根据所述圆形衬底上的照射位置改变所述第一电子透镜的聚焦度的曝光电流控制单元。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日立麦克赛尔株式会社,未经日立麦克赛尔株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200510080007.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top