[发明专利]多波长半导体激光装置无效
| 申请号： | 200510080012.0 | 申请日： | 2005-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN1767285A | 公开（公告）日： | 2006-05-03 |
| 发明（设计）人： | 朴钟翼;金裕承;文基愿;吴蕙兰 | 申请（专利权）人： | 三星电机株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/22 | 分类号： | H01S5/22;H01S5/40;H01S5/026;H01L27/15 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 李伟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体激光装置，包括：衬底，具有被分成第一区域和第二区域的顶面；高输出LD，包括顺序形成在衬底的第一区域上的第一导电型包覆层、活性层和包括具有第一脊状结构的上部的第二导电型包覆层；以及低输出LD，包括顺序形成在衬底的第二区域上的第一导电型包覆层、活性层和包括具有第二脊状结构的上部的第二导电型包覆层，其中，第一和第二脊状结构是以向彼此相对的两端延伸的方式形成的，第一脊状结构在两个或多个弯曲位置弯曲，并且第二脊状结构是直线形的。 | ||
| 搜索关键词： | 波长 半导体 激光 装置 | ||
【主权项】：
1.一种多波长半导体激光装置，包括：衬底，具有被分成第一区域和第二区域的顶面；高输出LD，包括顺序形成在所述衬底的所述第一区域上的第一导电型包覆层、活性层、和第二导电型包覆层，其中，所述第二导电型包覆层包括具有第一脊状结构的上部；以及低输出LD，包括顺序形成在所述衬底的所述第二区域上的第一导电型包覆层、活性层、和第二导电型包覆层，其中，所述第二导电型包覆层包括具有第二脊状结构的上部，其中，所述第一和第二脊状结构是以向彼此相对的两端延伸的方式形成，所述第一脊状结构在两个或更多个弯曲位置弯曲，而所述第二脊状结构是直线形的。
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