[发明专利]多晶硅的制造方法

摘要

一种多晶硅的制造方法。首先，提供基板，并于此基板上形成非晶硅层。接着，于非晶硅层上形成缓冲层，且于缓冲层上涂布金属催化溶液，其中此金属催化溶液包括金属盐类与溶剂。然后，进行烘烤，以移除金属催化溶液内的溶剂，使金属盐类附着于缓冲层表面。接着，进行退火处理，以使金属盐类的金属离子通过缓冲层进入非晶硅层内，并诱导非晶硅层结晶成为多晶硅层。之后，移除缓冲层及其上所残留的金属盐类。此方法可有效地避免多晶硅层内残留过多的金属硅化物或金属原子，进而提升多晶硅层的电性能。

主权项

1.一种多晶硅的制造方法，其特征在于包括：提供基板；于上述基板上形成非晶硅层；于上述非晶硅层上形成第一缓冲层；于上述第一缓冲层上涂布金属催化溶液，该金属催化溶液包括金属盐类与溶剂；烘烤上述基板，以移除上述金属催化溶液内的上述溶剂，使上述金属盐类附着于上述第一缓冲层表面；进行退火处理，以使上述金属盐类内的金属离子通过上述第一缓冲层进入上述非晶硅层内，并诱导该非晶硅层结晶成为多晶硅层；以及移除上述第一缓冲层及其上所残留的上述金属盐类。