[发明专利]电荷注入系统、存储单元及其形成方法有效
申请号: | 200510080431.4 | 申请日: | 2005-07-01 |
公开(公告)号: | CN1725493A | 公开(公告)日: | 2006-01-25 |
发明(设计)人: | 王知行 | 申请(专利权)人: | 王知行 |
主分类号: | H01L27/10 | 分类号: | H01L27/10;H01L27/115;H01L29/78;H01L21/82;H01L21/8247 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明提供一种电荷注入系统、存储单元及其形成方法。根据本发明的导体-过滤器系统为电荷载子流动提供带通过滤功能、电荷过滤功能、电压分割功能,及质量过滤功能。此导体-绝缘体系统提供影像力能垒降低效应以收集电荷载子。此电荷注入系统包括该导体-过滤器系统以及该导体-绝缘体系统。本发明为半导体装置与非易失性存储体装置提供电荷过滤与注入的方法及装置。此外,本发明提供利用压电弹道电荷注入机制以注入电荷的方法与装置以操作该电荷注入系统与装置。本发明更提供存储单元与阵列结构以及其形成方法。 | ||
搜索关键词: | 电荷 注入 系统 存储 单元 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
1、一种导体-过滤器系统,包括:一导体,用以供应常温电荷载子;以及一过滤器,其与该导体相接触并包括介电质以提供一种对某极性电荷载子的过滤功能,其中该过滤器包括可电性修改的电位能垒,用以控制沿某一方向通过该过滤器的某极性电荷载子的流动。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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