[发明专利]CMOS图像传感器及其制造方法无效
| 申请号： | 200510080449.4 | 申请日： | 2005-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN1716625A | 公开（公告）日： | 2006-01-04 |
| 发明（设计）人： | 沈喜成 | 申请（专利权）人： | 东部亚南半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余刚 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了CMOS图像传感器及其制造方法，借此可减少暗电流。本发明包括：第一导电类型半导体衬底，其分成有源区和场区；STI层，其形成于场区中，以将第一导电类型半导体衬底分成有源区和场区；第二导电类型光电二极管区，其形成于第一导电类型半导体衬底的有源区中；读出电路，其形成于第一导电类型半导体衬底的有源区中，以读出光电二极管区的数据；以及第一导电类型阱，其形成于第二导电类型光电二极管区与STI层之间。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种CMOS图像传感器，包括：第一导电类型半导体衬底，其分成有源区和场区；STI层，形成于所述场区中，用于将所述第一导电类型半导体衬底分成所述有源区和所述场区；第二导电类型光电二极管区，形成于所述第一导电类型半导体衬底的所述有源区中；读出电路，形成于所述第一导电类型半导体衬底的所述有源区中，用于读出所述光电二极管区的数据；以及第一导电类型阱，形成于所述第二导电类型光电二极管区与所述STI层之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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