[发明专利]垂直式半自发光半反射式显示器的像素结构有效
| 申请号： | 200510080525.1 | 申请日： | 2005-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN1892769A | 公开（公告）日： | 2007-01-10 |
| 发明（设计）人： | 叶永辉;王右武;赖志明;廖奇璋;王兴龙 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | G09G3/32 | 分类号： | G09G3/32;G09G3/36;G09G3/20;G09F9/30 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王昕 |
| 地址： | 台湾省新竹县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种垂直式半自发光半反射式显示器的像素结构，其包括基板、位于基板上的自发光像素单元以及位于自发光像素单元的反射像素单元。通过这种垂直式结构，可以增加显示器的开口率，并且降低耗电量。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 发光 反射 显示器 像素 结构 | ||
【主权项】：
1.一种垂直式半自发光半反射式显示器的像素结构，其特征是包括：第一晶体管，具有栅极、源极与漏极，其中该第一晶体管的栅极与源极分别耦接到第一扫描线与第一数据线；第二晶体管，具有栅极、源极与漏极，其中该第二晶体管的栅极耦接至该第一晶体管的源极；第一存储电容，具有一端耦接至该第二晶体管的栅极，另一端耦接至该第二晶体管的源极；自发光显示单元，具有阳极、自发光层与阴极，其中该阳极耦接至该第二晶体管的漏极；第三晶体管，具有栅极、源极与漏极，其中该第三晶体管的栅极与源极分别耦接到第二扫描线与第二数据线；第二存储电容，具有一端耦接至该第三晶体管的漏极，另一端耦接至共同电压；以及反射式显示单元，具有一端耦接至该第三晶体管的漏极与该有机发光单元的阴极，另一端耦接至该共同电压，其中在自发光显示模式时，该反射式显示单元为关闭，且在反射式显示模式时，该自发光显示单元为关闭。
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