[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200510080752.4 | 申请日： | 2005-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN1750273A | 公开（公告）日： | 2006-03-22 |
| 发明（设计）人： | 引田正洋;上野弘明;广濑裕;柳原学;上本康裕;田中毅 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/812 | 分类号： | H01L29/812;H01L21/338 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 季向冈 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。在本发明的构造中，第1源极电极(106)通过通孔(112)连接在导电性衬底(101)上，此外，还形成有第2源极电极(110)。由此，即便是在栅极电极(108)与漏极电极(107)之间施加高的反向电压，也可以效果良好地分散或缓和易于在栅极电极(108)中接近漏极电极(107)的一侧的端部产生的电场集中，故耐压增高。此外，由于作为形成元件形成层的衬底使用了导电性衬底，故在导电性衬底(101)上不需要设置贯穿到背面的通孔。因此，可以保持导电性衬底(101)所需要的强度不变地把第1源极电极(106)与背面电极(115)电连接起来。由此，实现耐压优良、强度高的由III－V族氮化物半导体构成的半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：导电层；在上述导电层的上方形成的、由III-V族氮化物半导体构成的沟道层；在上述沟道层之上形成的、由III-V族氮化物半导体构成的肖特基层；在上述肖特基层的上方的一部分上分别形成的第1源极电极、漏极电极和栅极电极；与上述第1源极电极连接的第2源极电极；以及通过贯穿上述沟道层和上述肖特基层的沟连接上述第1源极电极和上述导电层的布线构件。
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