[发明专利]磁头及其制造方法有效
申请号: | 200510080962.3 | 申请日: | 2005-06-24 |
公开(公告)号: | CN1725299A | 公开(公告)日: | 2006-01-25 |
发明(设计)人: | 萩野谷千积;石川千明;幡谷昌彦;目黑贤一;中本一广;渡边克朗 | 申请(专利权)人: | 日立环球储存科技荷兰有限公司 |
主分类号: | G11B5/11 | 分类号: | G11B5/11;G11B5/39 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 杨林森;谷惠敏 |
地址: | 荷兰阿*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | 在用于缩小有效磁道的侧面屏蔽结构中,能够减少侧面屏蔽结构造成的噪声。侧面屏蔽关于膜平面倾斜以抑制在侧面屏蔽的末端部分生成磁极。为此目的,以需要的角度倾斜装置的侧面。进而,以两个或更多角度β1和β2形成再现装置以改善磁道宽度的精确性。 | ||
搜索关键词: | 磁头 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种磁头,包括:再现装置,其包括:磁化方向固定的固定层,磁化方向由外部磁场改变的自由层,以及在所述自由层上面或下面形成的用于稳定所述自由层中的磁化结构的纵向偏移层;下层屏蔽,其在所述再现装置下面形成;上层屏蔽,其在所述再现装置上面形成;以及绝缘体,用于在所述上层屏蔽和所述下层屏蔽之间电隔离非再现装置部分,其中,通过所述绝缘体在所述自由层的膜平面方向的延长线上形成软磁体,并且由所述绝缘体和所述软磁体之间的界面和所述再现装置的膜平面形成的角度α在所述再现装置的膜厚度方向上改变成两个或多个值。
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