[发明专利]包括多－沟道鳍形场效应晶体管的半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200510081046.1 | 申请日： | 2005-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN1750269A | 公开（公告）日： | 2006-03-22 |
| 发明（设计）人： | 金成玟;张世明;朴东健;吴容哲;尹恩贞;金根楠 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/772;H01L21/336;H01L21/335 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 林宇清;谢丽娜 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在半导体器件及其制造方法中，半导体器件包括具有单元阵列区和外围电路区的半导体衬底，单元区和外围电路区中的部分半导体包括限定有源区的隔离区，部分有源区在隔离区的上表面上突出，以限定至少两个有源沟道，形成在包括至少两个突出的有源沟道的半导体衬底的有源区上的栅介质层，形成在栅介质层和半导体衬底的隔离区上的栅电极，以及形成在栅电极的任一侧边上的半导体衬底的有源区中的源区/漏区。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 沟道 场效应 晶体管 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：具有单元区和外围电路区的半导体衬底，单元区和外围电路区中的部分半导体衬底包括限定有源区的隔离区，在隔离区的上表面上突出、以限定至少两个有源沟道的部分有源区；在包括至少两个突出的有源沟道的半导体衬底的有源区上形成的栅介质层；在栅介质层和半导体衬底的隔离区上形成的栅电极；以及在栅电极的任一侧边上的半导体衬底的有源区中形成的源区/漏区。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510081046.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电源和具备电源的投影机
- 下一篇：弯曲加工装置
- 同类专利
- 专利分类
