[发明专利]半导体器件和半导体晶片及其制造方法有效

申请号：	200510081098.9	申请日：	2005-06-29
公开（公告）号：	CN1716601A	公开（公告）日：	2006-01-04
发明（设计）人：	栗田洋一郎	申请（专利权）人：	恩益禧电子股份有限公司
主分类号：	H01L27/00	分类号：	H01L27/00;H01L21/00
代理公司：	中原信达知识产权代理有限责任公司	代理人：	穆德骏;陆锦华
地址：	日本***	国省代码：	日本;JP
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摘要：	半导体器件(1)具有第一半导体芯片(10)和第二半导体芯片(20)。第二半导体芯片(20)形成在第一半导体芯片(10)上。通过包括半导体衬底(22)构成第二半导体芯片(20)。通过包括绝缘层(34)和硅层(36)构成作为SOI衬底的半导体衬底(22)，其中硅层(36)设置在绝缘层(34)上，包括电路形成区(A1)。用作第一保护膜的绝缘层(34)覆盖电路形成区(A1)的下表面，即与半导体芯片(10)背对的表面。第二保护膜(38)设置在半导体衬底(22)上。第二保护膜(38)覆盖电路形成区(A1)的侧表面。
搜索关键词：	半导体器件半导体晶片及其制造方法
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【主权项】：

1.一种半导体器件，包括：第一半导体芯片；和形成在所述第一半导体芯片上的第二半导体芯片，其具有包括电路形成区的半导体衬底，其中所述第二半导体芯片具有第一保护膜和第二保护膜，第一保护膜覆盖所述电路形成区中与所述第一半导体芯片背对的表面，第二保护膜覆盖所述电路形成区的侧表面。

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