[发明专利]半导体器件的制造生产线无效

专利信息
申请号: 200510081113.X 申请日: 2000-04-11
公开(公告)号: CN1697131A 公开(公告)日: 2005-11-16
发明(设计)人: 井上准一;浅川辉雄;杉山一彦 申请(专利权)人: 东京毅力科创株式会社
主分类号: H01L21/02 分类号: H01L21/02;H01L21/00
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 胡建新
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 提供可对应多种晶片尺寸的半导体器件的制造生产线,在1个生产线的运送系统中,配置对1个尺寸的半导体晶片实施形成集成电路的一连串处理的多个处理装置,包括:半导体晶片搬入搬出装置,从外部搬入或搬出规定的半导体晶片;第1处理装置,进行在半导体晶片上形成电路元件的清洗;第2处理装置,在半导体衬底上形成金属膜或绝缘膜;第3处理装置,形成在薄膜成形的半导体晶片上形成电路元件和布线的抗蚀剂图形;第4处理装置,除去形成抗蚀剂图形的半导体晶片的不需要的金属膜部分或绝缘膜部分;第5处理装置,对半导体晶片上形成的集成电路元件进行光学和电气检查;各个处理装置,通过插入可拆装自由地被连接到运送系统。
搜索关键词: 半导体器件 制造 生产线
【主权项】:
1.一种制造生产线,在1个生产线的运送系统中,配置用于对1个尺寸的半导体晶片实施用于形成集成电路的一连串处理的多个处理装置,其特征在于包括:半导体晶片搬入搬出装置,从外部搬入或搬出规定的半导体晶片;第1处理装置,进行用于在所述半导体晶片上形成电路元件的清洗;第2处理装置,用于在所述半导体衬底上形成金属膜或绝缘膜;第3处理装置,形成用于在所述薄膜成形的半导体晶片上形成电路元件和布线的抗蚀剂图形;第4处理装置,除去形成所述抗蚀剂图形的半导体晶片的不需要的金属膜部分或绝缘膜部分;以及第5处理装置,对所述半导体晶片上形成的集成电路元件进行光学和电气检查;上述各个处理装置,通过插入可拆装自由地被连接到所述运送系统。
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