[发明专利]贯通电极及其形成方法有效

专利信息
申请号: 200510081176.5 申请日: 2005-06-29
公开(公告)号: CN1716558A 公开(公告)日: 2006-01-04
发明(设计)人: 山野孝治;仓嶋信幸 申请(专利权)人: 新光电气工业株式会社
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60;H01L23/02;H01L23/12;H01L23/52;H05K3/00
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 康建忠
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 公开了一种用于形成贯通电极的方法。贯通电极整体上包括填充通孔的柱状电极、形成在柱状电极的下端面上并具有比通孔的横截面更宽的区域的下端电极焊盘、以及形成在柱状电极的上端面上并具有比通孔的横截面更宽的区域的上端电极焊盘。将下端电极焊盘配置成封闭通孔的下端开口。柱状电极通过将铜层压在下端电极焊盘上来填充通孔。
搜索关键词: 贯通 电极 及其 形成 方法
【主权项】:
1.一种用于形成贯通电极的方法,其特征在于,在支撑体的表面上形成种子层的第一步骤;在所述种子层的表面上形成粘合层的第二步骤;将具有在其中形成的通孔的衬底压到所述粘合层上的第三步骤;去除与所述衬底的通孔相连的所述粘合层部分,以便形成比所述通孔的下端处的通孔横截面更宽的间隙的第四步骤;用导体填充所述间隙和所述通孔以便形成覆盖所述通孔的下端的下端电极焊盘和填充所述通孔的柱状电极的第五步骤;以及从所述衬底去除所述支撑体、所述种子层和所述粘合层的第六步骤。
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