[发明专利]贯通电极及其形成方法有效
申请号: | 200510081176.5 | 申请日: | 2005-06-29 |
公开(公告)号: | CN1716558A | 公开(公告)日: | 2006-01-04 |
发明(设计)人: | 山野孝治;仓嶋信幸 | 申请(专利权)人: | 新光电气工业株式会社 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/02;H01L23/12;H01L23/52;H05K3/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 康建忠 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 公开了一种用于形成贯通电极的方法。贯通电极整体上包括填充通孔的柱状电极、形成在柱状电极的下端面上并具有比通孔的横截面更宽的区域的下端电极焊盘、以及形成在柱状电极的上端面上并具有比通孔的横截面更宽的区域的上端电极焊盘。将下端电极焊盘配置成封闭通孔的下端开口。柱状电极通过将铜层压在下端电极焊盘上来填充通孔。 | ||
搜索关键词: | 贯通 电极 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于形成贯通电极的方法,其特征在于,在支撑体的表面上形成种子层的第一步骤;在所述种子层的表面上形成粘合层的第二步骤;将具有在其中形成的通孔的衬底压到所述粘合层上的第三步骤;去除与所述衬底的通孔相连的所述粘合层部分,以便形成比所述通孔的下端处的通孔横截面更宽的间隙的第四步骤;用导体填充所述间隙和所述通孔以便形成覆盖所述通孔的下端的下端电极焊盘和填充所述通孔的柱状电极的第五步骤;以及从所述衬底去除所述支撑体、所述种子层和所述粘合层的第六步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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