[发明专利]包括光吸收层的图像传感器集成电路器件及其制造方法

摘要

集成电路器件，其包括半导体衬底和排列在所述半导体衬底上的阵列中的包括多个光电转换元件的传感器阵列区。在所述传感器阵列区上具有多个层间介电层，多个光透射区从相应的光电转换元件穿过多个层间介电层延伸。在所述的多个层间介电层中的一些层间介电层之间具有多个反光金属元件，其位于所述光透射区中的一些透射区之外，并位于这些光透射区之间。在一些金属元件的上表面上形成光吸收层，用于防止与某一光透射区的光电转换元件相关的光被反射至另一光电反射区的光电转换元件，以抑制在多个光电反射元件之间产生的串扰。

主权项

1.一种集成电路器件，其包括：一半导体衬底；一传感器阵列区，其包括多个排列在所述半导体衬底上的阵列中的多个光电转换元件；位于所述传感器阵列区上的多个层间介电层；多个光透射区，其从相应的多个光电转换元件穿过多个所述的层间介电层延伸；位于所述的多个层间介电层中的一些层间介电层之间的多个反光金属元件，其位于一些所述的光透射区之外，并位于这些光透射区之间；以及形成于所述的多个金属元件中的一些的上表面上的光吸收层，其防止与某一光透射区的光电转换元件相关的光被反射至其他光透射区的光电转换元件，从而抑制在所述的多个光电转换元件之间发生串扰。