[发明专利]半导体存储器件及其布设信号和电源线的方法

摘要

本发明涉及一种使用例如同步动态随机存取存储器(SDRAM)电路的方法和利用该方法形成的器件。在一个所描述的实施例中，在SDRAM的存储阵列部件的上方淀积并依次构图三层金属层。相对较宽的电源导线被布设于第三金属层上，使得第一和第二金属层上的电源导线在尺寸上缩短或者在一些情况下可以去除。所述相对较宽的电源导线因而能够为存储阵列提供更稳定的供电，并且也能在第一和/或第二金属上空出一部分空间以用于布设附加的和/或占用更宽空间的信号线。还描述和要求了其它的实施例。

主权项

1、一种半导体动态随机存取存储器件包括：存储单元阵列，包括重复的单元块的行/列图案，每个单元块包括次存储单元阵列和与所述次存储单元阵列相关的传感放大器部分和次字线驱动器部分；第一、第二和第三构图金属层，设置于所述存储单元阵列上方，每个构图金属层包括多条迹线；和绝缘层，设置在所述构图金属层周围以便基本绝缘所述迹线，除了其中提供用于建立至所述迹线的电连接的所述一个绝缘层中的孔之外；其中所述第一构图金属层迹线包括：多条基本平行的局部输入/输出线，每条输入/输出线耦合到单元块中排列为一行的多个传感放大器部分，多条第一电源线，为存储单元阵列提供功率，基本平行于所述局部输入/输出线延伸，以及多条主字线，基本上平行于所述局部输入/输出线延伸，每条主字线连接到单元块中排列为一行的多个次字线驱动器部分；其中所述第二构图金属层迹线包括多条基本平行的列选择线，每条列选择线同单元块中的输入/输出门相连；其中所述第三构图金属层迹线包括多条第三电源线，为存储单元阵列提供功率；以及其中在所述第二和第三构图金属层的至少一层中的所述迹线还包括多条全局输入/输出线，基本平行于所述列选择线延伸，每条全局输入/输出线连接到多个单元块上来选择性地将多条局部输入/输出线多路传输至那条全局输入/输出线上。