[发明专利]用于制造半导体封装件的衬底

摘要

提供了一种半导体封装件的母衬底，借助于切割成小片，此母衬底能够提供用来生产半导体器件的多个单元衬底。此母衬底包括绝缘层；形成在绝缘层第一和第二表面上的导体图形；以及分别形成在绝缘层第一和第二表面上且覆盖导体图形的PSR(光焊料防护剂)层。此母衬底包括被通过绝缘层中心线的参考表面分割的上部和下部。当上部的等效热膨胀系数α_upper由方程（式Ⅰ）定义时，其中，α_i是构成上部的第一到第n组成部分(例如上部的绝缘层、导体图形、以及PSR层)的各自的热膨胀系数，E_i是其各自的弹性模量，而v_i是其各自的体积比率，且下部的等效热膨胀系数α中，α_j是构成下部的第一到第m组成部分(例如下部的绝缘层、导体图形、以及PSR层)的各自的热膨胀系数，E_j是其各自的弹性模量，而v_j是其各自的体积比率，α_upper对α1.165的范围内。

主权项

1.一种用来制造半导体器件的多个单元衬底的母衬底，此母衬底包含：具有彼此面对的第一和第二表面的绝缘层；分别形成在绝缘层第一和第二表面上的上部和下部导体图形；以及分别形成在绝缘层第一和第二表面上且覆盖上部和下部导体图形的至少一些区域的上部和下部光焊料防护剂即PSR层，其中，母衬底确定被通过绝缘层中心线的参考表面分割的上部和下部，其中，当上部的等效热膨胀系数αupper被定义为如下时：${\alpha }_{\mathrm{upper}}=\frac{{\alpha }_b{E}_b{v}_b+{\alpha }_c{E}_c{v}_c+{\alpha }_p{E}_p{v}_p}{E_b{v}_b+E_c{v}_c+E_p{v}_p}$ 其中，αb、αc、αp分别是上部绝缘层、上部导体图形、以及上部PSR层的热膨胀系数，Eb、Ec、Ep分别是上部绝缘层、上部导体图形、以及上部PSR层的弹性模量，而vb、vc、Vp分别是上部绝缘层、上部导体图形、以及上部PSR层的体积比率，且当下部的等效热膨胀系数αlower被定义为如下时：${\alpha }_{\mathrm{lower}}=\frac{{\alpha }_b{E}_b{v}_b+{\alpha }_c{E}_c{v}_c+{\alpha }_p{E}_p{v}_p}{E_b{v}_b+E_c{v}_c+E_p{v}_p}$ 其中，αb、αc、αp分别是下部绝缘层、下部导体图形、以及下部PSR层的热膨胀系数，Eb、Ec、Ep分别是下部绝缘层、下部导体图形、以及下部PSR层的弹性模量，而vb、vc、vp分别是下部绝缘层、下部导体图形、以及下部PSR层的体积比率，αupper对αlower的等效热膨胀系数比率即αupper/αlower被选择为在0.975-1.165的范围内。