[发明专利]半导体发光元件

摘要

一种半导体发光元件，包括：一半导体发光叠层，包括一第一叠层、一第二叠层形成于该第一叠层之上、以及形成于第一叠层及第二叠层之间的一发光层；一第一电极形成于该发光叠层上侧的第一表面区之上；一第一透明氧化物导电层形成于该发光叠层上侧的第二表面区之上；以及一第二电极形成于该透明氧化物导电层之上。可通过适当的第一电极与第二电极间的距离，使得半导体发光元件达到最佳的电流分布效应，另外通过第一电极与第二电极的总面积占发光元件发光层正面面积比例来调整半导体发光元件顺向偏压，提高发光效率。

主权项

1.一种半导体发光元件，包括：一半导体发光叠层，包括一第一层、一第二层形成于该第一层之上、以及形成于该第一层及该第二层之间的一半导体发光层，其中该半导体发光叠层具有一上表面，包括一第一表面区与一第二表面区；一第一电极形成于该第一表面区之上；一第一透明氧化物导电层形成于该第二表面区之上；以及一第二电极形成于该透明氧化物导电层之上，其中于该半导体发光元件的上视平面中，该发光元件正面平面面积大于2.5×105μm2，第一电极边缘与第二电极边缘的最短间距实质上介于150μm至250μm之间，第一电极与第二电极的总面积占发光元件发光层正面面积的15％至25％之间。