[发明专利]制造快闪存储装置的方法无效
| 申请号： | 200510081921.6 | 申请日： | 2005-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN1832145A | 公开（公告）日： | 2006-09-13 |
| 发明（设计）人： | 李根雨 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8246 | 分类号： | H01L21/8246;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开一种用以制造快闪存储装置的方法，其包括以下步骤：在一半导体衬底的一区域上形成一堆叠栅极，在该堆叠栅极中，堆叠一隧道介电膜、一用于一浮动栅极的多晶硅膜图案、一层间介电膜、一用于一控制栅极的多晶硅膜图案、及一金属膜；在该堆叠栅极的两侧处的半导体衬底中注入一杂质离子；及在包括该堆叠栅极的整个表面上形成一抗异常氧化膜。可改进耐久力特性而不使程序干扰特性降级。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 闪存 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造一快闪存储装置的方法，包括以下步骤：在一半导体衬底的一区域上形成一堆叠栅极，在该堆叠栅极中堆叠一隧道介电膜、一用于一浮动栅极的多晶硅膜图案、一层间介电膜、一用于一控制栅极的多晶硅膜图案、及一金属膜；将一杂质离子注入在该堆叠栅极的两侧处的该半导体衬底中；及在包括该堆叠栅极的整个表面上形成一抗异常氧化膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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