[发明专利]制造半导体装置的方法无效
| 申请号： | 200510081925.4 | 申请日： | 2005-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN1851868A | 公开（公告）日： | 2006-10-25 |
| 发明（设计）人： | 张民植;李东浩;朴恩实;全光锡;申承佑;柳春根 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/283 | 分类号： | H01L21/283 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种制造一半导体装置的方法，其包括在一包括一金属膜的栅极的侧面上藉由不会导致该金属膜氧化的LP－CVD方法形成一LP－CVD氧化物膜。可在物理上防止金属膜的氧化，且可防止电装置特性的降级。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造一半导体装置的方法，其包括：在一半导体衬底的一预定区域上形成一包括一金属膜的栅极；及藉由一不会导致该金属膜氧化的LP-CVD方法在整个表面上形成一LP-CVD氧化物膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
