[发明专利]非易失半导体存储器及设置该存储器中的替换信息的方法无效
| 申请号： | 200510081981.8 | 申请日： | 2005-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN1725378A | 公开（公告）日： | 2006-01-25 |
| 发明（设计）人： | 小西信也 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;H01L27/115 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏;陆锦华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 非易半导体存储器包括存储单元阵列(3)和替换数据单元阵列(2)。存储单元阵列(3)包括多个主单元阵列(42)和多个冗余单元阵列(41)。替换数据单元阵列(2)存储用于表示一个主单元阵列(42)被一个冗余单元阵列(41)替换的替换数据。替换数据单元阵列(2)包括多个第一存储部件(28)和多个第二存储部件(29)。第一存储部件(28)对应于一个冗余单元阵列并且用两位的非易失存储单元(TC，TB)存储用于表示相应的一个冗余单元阵列(41)是否替换一个主单元阵列(42)的替换确认数据。第二存储部件(29)对应于一个冗余单元阵列(41)并且存储用于表示被相应的一个冗余单元阵列(41)替换的主单元阵列(42)的地址的地址数据。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失 半导体 存储器 设置 中的 替换 信息 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非易失半导体存储器，包括：存储单元阵列，其包括多个主单元阵列和多个冗余单元阵列；以及替换数据单元阵列，其存储用于表示所述多个主单元阵列中的一个被所述多个冗余单元阵列中的一个替换的替换数据，其中所述替换数据单元阵列包括：多个第一存储部件，其每个对应于所述多个冗余单元阵列中的一个并且用两位的非易失存储单元存储用于表示多个冗余单元阵列中的所述相应的一个是否替换了所述多个主单元阵列中的一个的替换确认数据，和多个第二存储部件，其每个对应于所述多个冗余单元阵列中的一个并且存储用于表示被多个冗余单元阵列中的所述相应的一个替换的所述多个主单元阵列中的一个的地址的地址数据。
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