[发明专利]集成电路和该电路的操作参数的评价方法有效
| 申请号： | 200510082035.5 | 申请日： | 2005-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN1738044A | 公开（公告）日： | 2006-02-22 |
| 发明（设计）人： | 马克·C.·哈克;马克·E.·马斯特斯;利亚·M.·P.·帕斯特尔;戴维·P.·瓦尔莱特 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;G01R31/26 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 付建军 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种集成电路的形成方法和结构，它包括第一晶体管和靠近第一晶体管的嵌入式碳纳米管场效应晶体管(CNTFET)，其中CNT FET的形成尺寸小于第一晶体管。该CNT FET适于检测来自第一晶体管的信号，其中该信号包括温度、电压、电流、电场和磁场信号的任一种。而且，该CNT FET适于检测集成电路中的应力和应变，其中该应力和应变包括机械应力和应变与热应力和应变中的任一种。另外，该CNT FET适于检测集成电路中的有缺陷电路。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 电路 操作 参数 评价 方法 | ||
【主权项】：
1、一种集成电路，包括：被监控的器件，和靠近所述被监控器件的碳纳米管场效应晶体管(CNT FET)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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