[发明专利]用于在低电源电压下工作的闪存器件的读出电路有效
| 申请号： | 200510082113.1 | 申请日： | 2005-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN1725381A | 公开（公告）日： | 2006-01-25 |
| 发明（设计）人： | 吴世殷 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/26 | 分类号： | G11C16/26;G11C7/06;H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 黄小临;王志森 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种读出电路，该读出电路即使在低电源电压下仍可工作，且在低电源电压时减少闪存器件中的存储器单元上的应力而不降低读取速度。该读出电路包括：第一负载元件、第一反相电路、第二负载元件、第二反相电路和感测放大器。第一负载元件包括与闪存器件内的主单元阵列的位线相连的端。第一反相电路包括与主单元阵列的位线相连的输入端和与第一负载元件的另一端相连的输出端。第二负载元件包括与闪存器件内的参考单元阵列的位线相连的端。第二反相电路包括与参考单元阵列的位线相连的输入端和与第二负载元件的另一端相连的输出端。感测放大器比较主单元阵列的位线的电压和参考单元阵列的位线的电压，并依据比较结果生成输出信号。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 电源 压下 工作 闪存 器件 读出 电路 | ||
【主权项】：
1、一种用于闪存器件的读出电路，该读出电路包括：第一负载元件，包括与主单元阵列的位线相连的一端；第一反相电路，包括与所述主单元阵列的位线相连的输入端，以及与所述第一负载元件的另一端相连的输出端；第二负载元件，包括与参考单元阵列的位线相连的一端；第二反相电路，包括与所述参考单元阵列的位线相连的输入端，以及与所述第二负载元件的另一端相连的输出端；以及感测放大器，将所述主单元阵列的位线的电压与所述参考单元阵列的位线的电压相比较，并依据该比较结果来生成输出信号。
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