[发明专利]半导体的制造方法以及降低寄生电容的方法无效
| 申请号： | 200510082131.X | 申请日： | 2005-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN1889245A | 公开（公告）日： | 2007-01-03 |
| 发明（设计）人： | 陈建维 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76;H01L21/28;H01L21/316;H01L21/318 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体的制造方法，首先提供一基底，此基底中已形成有多个沟槽隔离结构与多个虚拟沟槽隔离结构。然后，于相邻二沟槽隔离结构之间的基底上形成一栅极结构，并同时于基底上形成多个虚拟栅极结构。接着，分别于栅极结构侧壁以及虚拟栅极结构侧壁形成一间隙壁。之后，形成一图案化的阻挡层以覆盖住相邻二虚拟沟槽隔离结构之间所裸露出的基底与该虚拟栅极结构。继之，于栅极结构表面上以及未被间隙壁覆盖的基底表面上形成一金属硅化层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 方法 以及 降低 寄生 电容 | ||
【主权项】：
1.一种半导体的制造方法，包括：提供一基底，该基底中已形成有多个沟槽隔离结构与多个虚拟沟槽隔离结构；于相邻二沟槽隔离结构之间的该基底上形成一栅极结构，并同时于该基底上形成多个虚拟栅极结构；分别于该些栅极结构侧壁以及该些虚拟栅极结构侧壁形成一间隙壁；形成一图案化的阻挡层以覆盖住相邻二虚拟沟槽隔离结构之间所裸露出的该基底与该些虚拟栅极结构；以及于各该些栅极结构表面上以及未被该间隙壁覆盖的该基底表面上形成一金属硅化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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