[发明专利]半导体晶片的处理方法有效
| 申请号： | 200510082132.4 | 申请日： | 2005-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN1889230A | 公开（公告）日： | 2007-01-03 |
| 发明（设计）人： | 马宏;周梅生 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体晶片的处理方法，首先对半导体晶片进行第一工艺。接着，取得进行第一工艺后半导体晶片上的计量数据，此计量数据反应出单一半导体晶片内部各处的偏差状况。然后，根据计量数据对同一半导体晶片进行第二工艺，以补偿第一工艺中所产生的偏差。因此，可立即并有效修正同一晶片内所产生的工艺偏差。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 处理 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体晶片的处理方法，包括：对一半导体晶片进行一第一工艺；取得进行该第一工艺后该半导体晶片上的一计量数据，该计量数据反应出同一该半导体晶片内部各处的偏差状况；以及根据该计量数据对同一该半导体晶片进行一第二工艺，以补偿该第一工艺中所产生的偏差。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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