[发明专利]制备基底催化剂的方法及利用它制备碳纳米管的方法无效
申请号: | 200510082139.6 | 申请日: | 2005-07-04 |
公开(公告)号: | CN1721323A | 公开(公告)日: | 2006-01-18 |
发明(设计)人: | 金夏辰;韩仁泽 | 申请(专利权)人: | 三星SDI株式会社 |
主分类号: | C01B31/02 | 分类号: | C01B31/02;D01F9/127 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 张平元;赵仁临 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明提供一种形成基底催化剂的新方法,及利用该形成基底催化剂的方法合成碳纳米管的方法,该基底催化剂可以控制碳纳米管的生长密度并增加碳纳米管的均匀性。形成用于生长碳纳米管的基底催化剂的方法包括:将包含催化金属前体、固体和溶剂的前体糊涂布在基材上;及还原涂布在所述基材上的前体糊的催化金属前体,从而形成催化金属颗粒。 | ||
搜索关键词: | 制备 基底 催化剂 方法 利用 纳米 | ||
【主权项】:
1.一种形成基底催化剂的方法,该方法包括:将包含催化金属前体、固体和溶剂的前体糊涂布在基材上;及还原涂布在所述基材上的前体糊的催化金属前体,从而形成催化金属颗粒。
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