[发明专利]CMOS图像传感器及其制造方法有效
| 申请号： | 200510082236.5 | 申请日： | 2005-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN1763964A | 公开（公告）日： | 2006-04-26 |
| 发明（设计）人： | 姜和映 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L21/82;H04N5/335 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 刘晓峰 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种图像传感器，包括：衬底，在该衬底上沉积有外延层；多个埋入外延层中的光电二极管；以及插入光电二极管之间以使光电二极管绝缘的多个场氧化膜。每个场氧化膜包括：在外延层上形成的沟道；沉积在沟道内侧上的第一氧化层；沉积在第一氧化膜上的反射层，用于朝向光电二极管一侧反射入射光；和在反射层上形成的第二氧化层。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种图像传感器，包括：衬底，该衬底上生长着外延层；多个埋入外延层中的光电二极管；和多个场氧化膜，它们被插入光电二极管之间以使光电二极管绝缘，多个场氧化膜中的每个场氧化膜包括：在外延层上形成的沟道；沉积在沟道内侧上的第一氧化层；沉积在第一氧化膜上的反射层，用于朝向多个光电二极管中的各个光电二极管的一侧反射入射光；和在反射层上形成的第二氧化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
