[发明专利]SOI衬底及其制造方法有效

申请号：	200510082338.7	申请日：	2005-06-30
公开（公告）号：	CN1716619A	公开（公告）日：	2006-01-04
发明（设计）人：	川野连也;田代勉;栗田洋一郎	申请（专利权）人：	恩益禧电子股份有限公司
主分类号：	H01L27/12	分类号：	H01L27/12;H01L21/84
代理公司：	中原信达知识产权代理有限责任公司	代理人：	穆德骏;陆锦华
地址：	日本***	国省代码：	日本;JP
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摘要：	SOI衬底(1)具有支撑衬底(10)、形成在支撑衬底(10)上的绝缘层(20)以及形成在绝缘层(20)上的硅层(30)。在SOI衬底(1)的器件形成区(A1)中设置穿通电极(40)。穿通电极(40)从硅层(30)到达绝缘层(20)。具体地，穿通电极(40)从硅层(30)的表面开始贯穿硅层(30)延伸至绝缘层(20)的内部。这里，在绝缘层(20)侧的穿通电极(40)的端面(40a)停止在绝缘层(20)内。
搜索关键词：	soi 衬底及其制造方法
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【主权项】：

1.一种SOI衬底，具有绝缘层和设置在所述绝缘层上的硅层，包括：从所述硅层到达所述绝缘层的穿通电极，其中在所述绝缘层侧的所述穿通电极的端面停止在所述绝缘层内。

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