[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200510082522.1 | 申请日： | 2005-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN1728375A | 公开（公告）日： | 2006-02-01 |
| 发明（设计）人： | 古泽健志;三浦典子;后藤欣哉;松浦正纯 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768;H01L21/312 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 浦柏明;刘宗杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种制造使用有机硅氧烷类绝缘膜且电特性优良的半导体装置的方法。具备在半导体衬底上形成的多层布线结构的半导体装置中，该多层布线结构具有层间绝缘膜，该层间绝缘膜至少部分具备相对介电常数小于等于3.1且硬度大于等于2.7GPa的有机硅氧烷类绝缘膜。此外，该有机硅氧烷类绝缘膜中碳原子数与硅原子数之比大于等于0.5小于等于1.0。另外，该多层布线结构在有机硅氧烷类绝缘膜的上面具有从有机硅氧烷类绝缘膜中进行脱碳并且使碳原子数与硅原子数之比小于等于0.1的绝缘层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，具备在半导体衬底上形成的多层布线结构，其特征在于：所述多层布线结构具有层间绝缘膜，该层间绝缘膜至少部分具备相对介电常数小于等于3.1且硬度大于等于2.7GPa的有机硅氧烷类绝缘膜，该有机硅氧烷类绝缘膜中碳原子数与硅原子数之比大于等于0.5小于等于1.0。
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