[发明专利]一种半导体器件有效
| 申请号： | 200510082800.3 | 申请日： | 2005-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN1755934A | 公开（公告）日： | 2006-04-05 |
| 发明（设计）人： | 伊藤文俊;川岛祥之;坂井健志;石井泰之;金丸恭弘;桥本孝司;水野真;奥山幸祐;真边由起子 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;G11C16/02 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提高了具有非易失性存储单元的半导体器件的集成度和重写次数。第一MONOS型非易失性存储元件和第二MONOS型非易失性存储元件一起安装在同一衬底上，其中第二MONOS型非易失性存储元件具有比第一MONOS型非易失性存储元件更大的栅极宽度，并且第一MONOS型非易失性存储元件用于存储几乎不重写的程序数据，以及第二MONOS型非易失性存储元件用于存储频繁重写的处理数据。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，具有第一和第二非易失性存储元件，在该元件中经由在半导体衬底的主表面上的电荷存储绝缘膜设置栅电极，其中，所述第一非易失性存储元件用来存储用于形成程序的数据，以及，所述第二非易失性存储元件用来存储通过执行该程序处理的数据，并且具有比所述第一非易失性存储元件的栅极宽度更大的栅极宽度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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