[发明专利]具有阻隔保护层的基板及形成阻隔保护层于基板上的方法

摘要

本发明提供一种具有阻隔保护层的基板以及形成阻隔保护层于基板上的方法，其中该方法包括：于半导体基板上形成一隔离结构，沉积一原生氮化层于半导体基板上，该氮化层对隔离结构具有一实质的蚀刻选择比。接着，形成一光致抗蚀剂掩膜以部分覆盖原生氮化层。以不实质损害隔离结构的方法，湿蚀刻未被光致抗蚀剂掩膜覆盖的原生氮化层，以使覆盖有掩膜的原生氮化层形成一阻隔保护层。本发明有效解决现有技术利用氧化层作为阻隔保护层因蚀刻选择性低，而造成间隔内衬层底切以及浅沟槽隔离受损产生凹坑缺陷的问题。并解决现有技术利用氧化层以及氮化层的复合层作为阻隔保护层无法完全移除氮化层以及制程复杂低产率等问题。

主权项

1、一种形成阻隔保护层于基板上的方法，所述形成阻隔保护层于基板上的方法包括：于半导体基板上形成一隔离结构；沉积一原生氮化层于该半导体基板上，该原生氮化层对该隔离结构具有一实质的蚀刻选择比；形成一光致抗蚀剂掩膜以部分覆盖该原生氮化层；以及湿蚀刻未被该光致抗蚀剂掩膜覆盖的该原生氮化层且不实质损害该隔离结构，其中该原生氮化层是一阻隔保护层，以遮蔽预定区域不被金属化。