[发明专利]应用于快闪存储器的电压准位转换电路无效
| 申请号： | 200510082839.5 | 申请日： | 2005-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN1897159A | 公开（公告）日： | 2007-01-17 |
| 发明（设计）人： | 林信章;吴政颖;杨明苍;张浩诚 | 申请（专利权）人： | 亿而得微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C7/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提出一种应用于快闪存储器的电压准位转换电路，利用一电压准位侦测器以提供一参考电压准位，并有二对相耦接的PMOS晶体管，其分别连接至电压准位侦测器，且其中一对与一第一电压相连接，而另一对利用电压准位侦测器决定栅极偏压，并有二对相耦接的NMOS晶体管，其一端分别连接至一第二电压及一输入端，且其中一对连接至一对PMOS晶体管，另一端连接至一输出端，而另一对利用一反相放大器相连接，并连接至一接地端。本发明的电压准位转换电路是可通过高压准位，并且具有宽工作电源电压范围。 | ||
| 搜索关键词： | 应用于 闪存 电压 转换 电路 | ||
【主权项】：
1.一种应用于快闪存储器的电压准位转换电路，其特征在于，其是包括：一电压准位侦测器，用以提供一参考电压准位；二对相耦接的PMOS晶体管，其是分别连接该电压准位侦测器，且其中一对该PMOS晶体管与一第一电压相连接，而另一对该PMOS晶体管是利用该电压准位侦测器决定栅极偏压；以及二对相耦接的NMOS晶体管，其一端分别连接至一第二电压及一输入端，且其中一对该NMOS晶体管连接至一对该PMOS晶体管，且另一端连接至一输出端，而另一对该NMOS晶体管是利用一反相放大器相连接，并连接至一接地端。
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