[发明专利]用于连续横向固化技术的掩膜及用其形成多晶硅层的方法

摘要

本发明揭露了一种应用于连续横向固化技术掩膜，用以产生一结晶边界分散的多晶硅薄膜。本发明的掩膜至少包含：一第一区域、一第二区域、及一第三区域。其中，第一区域及第三区域为透光，第二区域则为遮光。第一区域围绕在第二区域的周围，且第一区域以及第二区域具有基本上相同的外围形状。第三区域与第一区域具有相同的外围形状，且第三区域与第一区域以及第二区域以一预定方向平行配置。本发明的优点在于，利用掩膜上的图案图形互补的概念，设计出可制作至少两种晶粒方向的多晶硅图案，通过控制掩膜上多个遮光区及透光区图案面积大小，可得到完美的晶粒边界。

主权项

1.一种应用于连续横向固化技术的掩膜，其特征在于，掩膜用以产生一结晶边界分散的多晶硅薄膜，所述的掩膜包含：一第一区域，为透光；一第二区域，为遮光，其中所述的第一区域围绕在所述的第二区域的周围；以及一第三区域，为透光，与所述的第一区域具有相同的外围形状，且所述的第三区域与所述的第一区域以及所述的第二区域以一预定方向平行配置。