[发明专利]电荷捕捉非挥发性记忆体及其操作方法

摘要

一种多重闸极记忆胞，此多重闸极记忆胞包括一与半导体主体上多数个串联排列的闸极。半导体主体上的电荷储存结构包括二个电荷捕捉区域，此二个电荷捕捉区域位于多数个闸极中全部或一些闸极的每一个下方。还包括传导源极偏压与汲极偏压至靠近闸极列中第一闸极与最终闸极的半导体主体，以及传导闸极偏压至多数个闸极的电路系统。多重闸极记忆胞包括一连续的多重闸极通道区，此多重闸极通道区位于闸极列中的多数个闸极下方。在一些或全部的闸极之间，此多重闸极记忆胞具有电荷储存区。

主权项

1、一种集成电路记忆体元件，其特征在于其包括：一半导体主体；多数个闸极，串联排列于该半导体主体上，以多数个隔离构件隔离相邻的该些闸极，该些闸极形成一闸极列，该些闸极包括该闸极列中的一第一闸极与一最终闸极；一电荷储存结构，配置于该半导体主体上，该电荷储存结构包括多数个电荷捕捉区域，该些电荷捕捉区域位于该闸极列中超过一个该些闸极下方；一第一电路系统，用以传导源极偏压与汲极偏压至该闸极列中该第一闸极附近与该最终闸极附近的该半导体主体；一第二电路系统，用以传导闸极偏压至该些闸极；其中该半导体主体包括连续的一多重闸极通道区，该多重闸极通道区位于该闸极列中该些闸极之下，且该多重闸极通道区具有n型导电性与p型导电性其中之一；以及一控制器，控制该第一电路系统与该第二电路系统，以建立多数个偏压配置，以在二电荷捕捉区域中储存数据，其中该二电荷捕捉区域位于每一个该闸极列中超过一个该些闸极下方。